ferroelectric materials câu

• Impurities in ferroelectric materials.
  Mạ trên chất liệu sắt
• What makes hafnium oxide ideal for this, and puts it ahead of other ferroelectric materials, is that it's already being used to build microchips by companies such as Intel.
  Điều làm cho hafnium oxit trở nên lý tưởng cho việc này là nó đã được sử dụng để chế tạo vi mạch bởi các công ty như Intel.
• Ferroelectric materials smaller than 10 nm can switch their polarization direction using room temperature thermal energy, thus making them useless for memory storage.
  Vật liệu sắt điện nhỏ hơn 10nm có thể chuyển hướng từ hóa bằng cách sử dụng năng lượng nhiệt ở nhiệt độ phòng, do đó làm cho chúng trở nên vô dụng đối với việc lưu trữ bộ nhớ.
• Ferroelectric materials smaller than 10 nm can switch their magnetization direction using room temperature thermal energy, thus making them useless for memory storage.
  Vật liệu sắt điện nhỏ hơn 10nm có thể chuyển hướng từ hóa bằng cách sử dụng năng lượng nhiệt ở nhiệt độ phòng, do đó làm cho chúng trở nên vô dụng đối với việc lưu trữ bộ nhớ.
• Ferroelectric materials smaller than 10nm can switch their polarization direction using room temperature thermal energy, thus making them useless for memory storage.
  Vật liệu sắt điện nhỏ hơn 10nm có thể chuyển hướng từ hóa bằng cách sử dụng năng lượng nhiệt ở nhiệt độ phòng, do đó làm cho chúng trở nên vô dụng đối với việc lưu trữ bộ nhớ.
• Ferroelectric materials smaller than 10 nm can switch their magnetisation direction using room temperature thermal energy, thus making them useless for memory storage.
  Vật liệu sắt điện nhỏ hơn 10nm có thể chuyển hướng từ hóa bằng cách sử dụng năng lượng nhiệt ở nhiệt độ phòng, do đó làm cho chúng trở nên vô dụng đối với việc lưu trữ bộ nhớ.